Ultrasonik püskürtik mashinasi - yarimo'tkazgich paneliga qo'llaniladi
Litografiy: ta'sir qilish va korroziyaga qarshi qoplama
Qisqacha ma'lumot
Yarimo'tkazgichda ishlab chiqarishda chiplarda fotolitografiya usullari orqali yaratiladi. Fotosuratlar, asosan qarshilik qatlami, naqshni shakllantirish uchun chipning yuqori qismida qoplanadi va keyinchalik asosiy qatlamga o'tkaziladi.
Fotolitografiya quyidagi jarayon bosqichlarini o'z ichiga oladi:
1. Yopishtiruvchi qo'shing va sirt namligini olib tashlang
2. Kornojyon qoplamasi
3. Koroziyaga chidamli qatlamni barqarorlashtirish
4. ta'sir qilish
5. Korroziy inhibitorlarni ishlab chiqish
6. Coroziyani inhibitorni davolash
7. Tekshirish
Ba'zi jarayonlarda, ion implantatsiya qilish kabi, qarshilik doplash kerak bo'lmagan ba'zi joylarni qoplash uchun niqob sifatida ishlatiladi. Bunday holda, naqshli tikanli qatlami asosiy qatlamga o'tmaydi.
Qoplama
Chipning qoplamasi aylanadigan chakdagi spin qoplama usuli orqali erishiladi. Kam aylanish paytida, bunga qarshi turadi, masalan, 2000 dan 6000 RPM gacha tezlikda tekislanadi. Keyingi jarayonga ko'ra, qarshilikka qatlami qalinligi 2 mikronga ko'tarilishi mumkin. Qalinlikka chidamlilikning aylanish tezligi va yopishqoqligiga bog'liq.
Yagona qatlamni olish uchun, bunga qarshi suv va uni yumshatadigan suvni o'z ichiga oladi. Barqarorlik sabablari uchun, keyinchalik taxminan 100 daraja C. suvi va hal qiluvchi qisman bug'lanadi va ba'zi namlik keyingi ta'sir qilish uchun saqlanishi kerak.
To'qish
To'pni qoplash - bu chip bog'lamalarni avtomatik ravishda arizalarni avtomatik ravishda qo'llash, keyin B-bosqich chip bog'lamini shakllantirish uchun B-bosqichni jalb qiladigan noyob jarayon. Funsonic ning püskürtü qoplash texnologiyasi texnogen, qalinlik nazorati va moddiy bir xillikka erishishi mumkin bo'lgan WAFSER qoplamasi uchun mos keladi. Issiq yoki UVB bosqichi va Whats-ni kesish, chip ulanishi izchil yopishqoq chiziqlar va kichik, boshqariladigan burchaklarni ishlab chiqarish uchun isitish va bosim o'tkaziladi. To'pning orqa tomonidagi yopishqoq qoplama burchak nazorati juda muhim bo'lgan chiplarni o'rnatish uchun ideal tanlovdir.
O'rta qimmatli qog'ozlar, ayniqsa silikon gofretlar, ayniqsa mikroprotsessor yoki saqlash chiplari kabi yuqori zichlikdagi integral komponentlar ishlab chiqarish uchun mos keladi. Zamonaviy mikroelektronika, global va mahalliy davriy jihatdan, chet el geometriyasi, qalinlik taqsimoti, bir tomondagi mahalliy sharoitlar (nanotopologiya) va bepul boshlang'ich materiallar (substrat deb ataladigan) nuqsonli.
Emiko'tkazgichni epitaxial qoplamalarda depozit qilish uchun yarimo'tkazgichlar yarimo'tasiga epitaxtial materiallar depoziti uchun olib tashlanadi. Biroq, yarimo'tkazgichli vafot etishga qo'shimcha ravishda materiallar, shuningdek, epitracial reaktor ichkarisida saqlanadi. Shuning uchun, odatda, cho'kish paytida epitaxial reaktorlarning yuzalarida to'plangan qoldiqlarni vaqti-vaqti bilan olib tashlash kerak.
Masalan, epitragial reaktorning virtual reaktorining virtual reaktorida joylashtirilgan bo'lsa-da, ma'lum birlashtirilgan tozalash jarayonida bir necha marta quyiladigan tozalash jarayonida, dastlabkilashtirilgan yarim semita gazetasi, epitragial reaktor orqali va kremniyni depozit qilish uchun ishlatiladigan gaz keyinchalik epitracal reaktoridan o'tdi.
Vodorod xlorid kabi gazlarni olib tashlash orqali oldingi qoplamaning qoldiq materiallari, epitragial reaktorning qoldiq materiallarini olib tashlash mumkin, masalan, epitragial reaktorning ichki qismi muhrlanishi mumkin, masalan, aralashmalar (epitragial qatlamga diffuz qilish). keyinchalik qamrab olingan yarimo'tkazgich va to'rga erishish.
Biroq, yarimo'tkazgichli ko'zlarni qoplash jarayonida individual semekband abometriya yig'gichlari mavjud. Ayniqsa, qoplamaning chetida, korpus semitatorining sifatiga zararli bo'lgan sezilarli farq bor. Masalan, chekka mintaqalar mavjud emas yoki faqat sifat talablariga javob beradigan talabnomalar uchun faqat mavjud bo'lishi mumkin.
Masalan, epitragial qatlamlarni saqlash uchun ishlatiladigan gaz oqimining gaz oqimining oqim kursini belgilab, yarimo'tkazgichli pishiriqlardagi mintaqalarni boshqarishga urinish.
Shuning uchun, yarimo'tkazgichli UNFERS bilan kasallangan yarimo'tkazgichning geometrik shaklida o'zgarishlarni oldini olish yoki hech bo'lmaganda kamaytirish imkoniyatini berish kutilmoqda.
